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GWT40H65DFB TO-3P Transistor de Potencia IGBT de 650V 80A para Accionamientos Industriales de Motor e Inversores

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  1. Módulo IGBT de alta potencia

    • capacidad nominal de 650V/80A

    • Bajo VCE(sat) = 1,85V (típico)

  2. Paquete industrial TO-3P

    • Carcasa resistente de metal-lata

    • Base de montaje aislada

  3. Rendimiento de Conmutación Optimizado

    • frecuencia máxima de 40kHz

    • Diodo de recuperación rápida incluido

  4. Eficiencia térmica

    • Baja resistencia térmica (0,75°C/W)

    • -55°C a +150°C rango de unión

  5. Módulo de fábrica original

    • Trazabilidad completa de producción

    • Certificado por UL





























 

G40H65DFB

 

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