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Transistor de puissance IGBT GWT40H65DFB TO-3P 650 V 80 A pour entraînements industriels et onduleurs

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  1. Module IGBT haute puissance

    • capacité nominale 650 V / 80 A

    • Faible VCE(sat) = 1,85 V (typique)

  2. Boîtier industriel TO-3P

    • Boîtier métallique robuste

    • Base d'installation isolée

  3. Performance de commutation optimisée

    • fréquence maximale de 40 kHz

    • Diode de récupération rapide incluse

  4. Efficacité thermique

    • Basse résistance thermique (0,75 °C/W)

    • plage de température de jonction de -55 °C à +150 °C

  5. Module d'usine d'origine

    • Traçabilité complète de la production

    • Certifié UL





























 

G40H65DFB

 

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