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Transistor MOSFET de puissance RD07MVS1, RD07MVS1B, RD07MUS2B, boîtier QFN SMD, pour convertisseurs DC-DC et commande de moteurs

Transistor MOSFET de puissance RD07MVS1, RD07MVS1B, RD07MUS2B, boîtier QFN SMD, pour convertisseurs DC-DC et commande de moteurs

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  1. Commutation de puissance haute efficacité  - Faible RDS(on) de 7 mΩ (typ.) pour minimiser les pertes par conduction dans les applications de puissance

  2. Boîtier QFN compact  - Conception en montage surface économique en espace avec d'excellentes performances thermiques

  3. tension drain-source de 30 V  - Idéal pour les systèmes automobiles et industriels 12 V/24 V

  4. Options doubles variantes  - Disponible en version standard (RD07MVS1) et sans halogène (RD07MVS1B)

  5. Caractéristiques de commutation optimisées  - Une vitesse de commutation rapide réduit les pertes de puissance dans les applications PWM

RD07MVS1

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