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STH180N10F32 MOSFET canal N 100 V 180 A TO-263-3 pour onduleurs automobiles et alimentations électriques

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  1. MOSFET de puissance haute intensité  - Courant de drain continu de 180 A avec RDS(on) ultra-faible de 2,3 mΩ

  2. Boîtier TO-263-3 de qualité automobile  - Conception H2PAK-2 avec performance thermique améliorée

  3. Commutation optimisée  - Tension de rupture de 100 V avec une charge de grille de 120 nC

  4. Protection avancée  - Évalué pour avalanche, testé à 100 % UIS

  5. Conforme à AEC-Q101  - Plage de température de jonction de -55 °C à +175 °C

 
 





























 

TMS320F2812PGFA

 

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